Ոչ գծային բյուրեղները, ինչպիսին է ZnTe-ն, <110> բյուրեղային կողմնորոշմամբ, կարող են կիրառվել OR-ում և FEOS-ում նորմալ հաճախականությամբ:Այնուամենայնիվ, <100> կողմնորոշման բյուրեղները չունեն ոչ գծային հատկություններ, որոնք անհրաժեշտ են OR-ի և FEOS-ի համար, թեև նրանց գծային THz և օպտիկական հատկությունները նույնական են <110>-ով ուղղված բյուրեղների հետ: THz-ի հաջող առաջացման կամ հայտնաբերման պահանջները: Նման ոչ գծային բյուրեղների վրա հիմնված THz-TDS սպեկտրոմետրում փուլային համընկնում է գեներացնող (հայտնաբերող) օպտիկական իմպուլսի և գեներացված (հայտնաբերված) THz ազդանշանի միջև:Այնուամենայնիվ, ոչ գծային բյուրեղները, որոնք հարմար են THz սպեկտրոսկոպիայի կիրառման համար, ունեն ուժեղ օպտիկական ֆոնոնային ռեզոնանսներ THz տիրույթում, THz բեկման ինդեքսի ուժեղ ցրումը սահմանափակում է փուլային համընկնման հաճախականության տիրույթը:

Հաստ ոչ գծային բյուրեղները ապահովում են THz-օպտիկական փուլի համընկնում նեղ հաճախականության գոտու շուրջ: Նրանք ապահովում են գեներացնող (հայտնաբերող) լազերային իմպուլսի թողունակության միայն մի մասը, քանի որ օպտիկական և THz ազդանշաններն ավելի մեծ հեռանում են համատեղ տարածման երկար հեռավորությունների վրա:Սակայն գեներացված (հայտնաբերված) գագաթնակետային ազդանշանի ուժը, ընդհանուր առմամբ, բարձր է համատեղ տարածման երկար հեռավորության վրա:

Բարակ ոչ գծային բյուրեղները ապահովում են THz-օպտիկական փուլի լավ համընկնում գեներացնող (հայտնաբերող) լազերային իմպուլսի ամբողջ թողունակության մեջ, սակայն գեներացված (հայտնաբերված) ազդանշանի ուժը սովորաբար փոքր է, քանի որ ազդանշանի ուժգնությունը համաչափ է THz-օպտիկական համատեղ տարածման հեռավորություններին: .

THz-ի արտադրության և հայտնաբերման լայնաշերտ փուլի համընկնում ապահովելու և հաճախականության լուծաչափը միևնույն ժամանակ բավական բարձր պահելու համար DIEN TECH-ը հաջողությամբ մշակեց բեկումնային համակցված ZnTe բյուրեղը՝ 10 մկմ հաստությամբ (110) ZnTe բյուրեղ (100) ZnTe-ի վրա: հանել.Նման բյուրեղներում THz-օպտիկական համատեղ տարածումը կարևոր է միայն բյուրեղի<110> մասում, և բազմակի անդրադարձումները պետք է ընդգրկեն բյուրեղների ամբողջական համակցված հաստությունը: