GaSe Crystal

Գալիումի սելենիդ (GaSe) ոչ գծային օպտիկական մեկ բյուրեղ, որը համատեղում է մեծ ոչ գծային գործակիցը, վնասի բարձր շեմը և թափանցիկության լայն շրջանակը:GaSe-ը շատ հարմար նյութ է SHG-ի համար միջին IR-ում:DIEN TECHապահովել GaSe բյուրեղյա յուրահատուկ մեծ չափսերով և բարձր որակով:

GaSe-ի հաճախականության կրկնապատկման հատկությունները ուսումնասիրվել են 6,0 մկմ և 12,0 մկմ ալիքի երկարության միջակայքում:GaSe-ը հաջողությամբ օգտագործվել է CO2 լազերի արդյունավետ SHG-ի համար (մինչև 9% փոխակերպում);SHG իմպուլսային CO, CO2 և քիմիական DF-լազերային (l = 2,36 մկմ) ճառագայթման համար;CO և CO2 լազերային ճառագայթման վերափոխում տեսանելի տիրույթում;ինֆրակարմիր իմպուլսների առաջացում՝ նեոդիմի և ինֆրակարմիր ներկերի լազերային կամ (F-) կենտրոնի լազերային իմպուլսների տարբեր հաճախականությունների խառնման միջոցով.OPG լույսի առաջացում 3,5–18 մկմ-ի սահմաններում;տերահերց (T- ճառագայթներ) ճառագայթման առաջացում:Անհնար է բյուրեղները կտրել որոշակի փուլերի համընկնող անկյունների համար, քանի որ նյութի կառուցվածքը (կտրվել (001) հարթության երկայնքով) սահմանափակող կիրառական տարածքները:
GaSe-ը շատ փափուկ և շերտավոր բյուրեղ է:Նշված հաստությամբ բյուրեղի արտադրության համար վերցնում ենք ավելի հաստ մեկնարկային բլանկ, օրինակ՝ 1-2 մմ հաստությամբ, այնուհետև սկսում ենք շերտ առ շերտ հեռացնել՝ փորձելով մոտենալ պատվիրված հաստությանը, պահպանելով մակերեսի լավ հարթությունն ու հարթությունը:Այնուամենայնիվ, մոտ 0,2-0,3 մմ կամ պակաս հաստության դեպքում GaSe ափսեը հեշտությամբ թեքում է և հարթ մակերեսի փոխարեն ստանում ենք կոր մակերես:
Այսպիսով, մենք սովորաբար մնում ենք 0,2 մմ հաստության վրա 10x10 մմ բյուրեղի համար, որը տեղադրված է dia.1'' կրիչի մեջ, CA բացման անկյունագծով:9-9,5 մմ:
Երբեմն մենք ընդունում ենք 0,1 մմ բյուրեղների պատվերներ, սակայն այդքան բարակ բյուրեղների համար մենք չենք երաշխավորում լավ հարթություն:
GaSe բյուրեղների կիրառությունները.
• THz (T-ճառագայթներ) ճառագայթման առաջացում.
• THz միջակայք: 0,1-4 THz;
• CO 2 լազերի արդյունավետ SHG (մինչև 9% փոխակերպում);
• իմպուլսային CO, CO2 և քիմիական DF-լազերային (l = 2,36 մկմ) ճառագայթման SHG-ի համար;
• CO և CO2 լազերային ճառագայթման վերափոխում տեսանելի տիրույթում;ինֆրակարմիր իմպուլսների առաջացում՝ նեոդիմի և ինֆրակարմիր ներկերի լազերային կամ (F-) կենտրոնի լազերային իմպուլսների տարբեր հաճախականությունների խառնման միջոցով.
• OPG լույսի արտադրություն 3,5 - 18 մկմ-ի սահմաններում:
SHG միջին IR-ում (CO2, CO, քիմիական DF-լազեր և այլն)
IR լազերային ճառագայթման վերափոխում տեսանելի տիրույթում
Պարամետրային առաջացում 3-20 մկմ-ի սահմաններում
GaSe բյուրեղների հիմնական հատկությունները.
Թափանցիկության միջակայք, մկմ 0,62 - 20
Կետային խումբ 6մ2
Ցանցային պարամետրերը a = 3,74, c = 15,89 Å
Խտություն, գ/սմ3 5,03
Մոհսի կարծրություն 2
Refractive ինդեքսներ:
5,3 մկմ no= 2,7233, ne= 2,3966
10,6 մկմ no= 2,6975, ne= 2,3745
Ոչ գծային գործակից, pm/V d22 = 54
Քայլեք 4,1° 5,3 մկմ-ով
Օպտիկական վնասի շեմ, ՄՎտ/սմ2 28 (9,3 մկմ, 150 նս);0.5 (10.6 մկմ, CW ռեժիմում);30 (1,064 մկմ, 10 նվ)