LGS բյուրեղներ

Քիմիական բանաձև.La3Ga5SiQ14

Խտությունը:5,75գ/սմ3

Հալման ջերմաստիճանը:1470℃

Թափանցիկության միջակայք.242-3200 նմ

Refractive Index:1.89

Էլեկտրաօպտիկական գործակիցներ.γ41=1.8pm/V，γ11=2.3pm/V

Դիմադրողականություն:1.7x1010Ω.սմ

Ջերմային ընդարձակման գործակիցներ.α11=5.15x10-6/K(⊥Z-առանցք);α33=3,65x10-6/K(∥Z-առանցք)

WhatsApp Նամակ ուղարկեք մեզ Ներբեռնեք որպես PDF

Ապրանքի մանրամասն

Հիմնական հատկություններ

La3Ga5SiO14 բյուրեղը (LGS բյուրեղը) օպտիկական ոչ գծային նյութ է, որն ունի վնասման բարձր շեմ, բարձր էլեկտրաօպտիկական գործակից և գերազանց էլեկտրաօպտիկական կատարում:LGS բյուրեղը պատկանում է եռանկյուն համակարգի կառուցվածքին, ջերմային ընդլայնման ավելի փոքր գործակիցը, բյուրեղի ջերմային ընդլայնման անիզոտրոպիան թույլ է, բարձր ջերմաստիճանի կայունության ջերմաստիճանը լավ է (ավելի լավ, քան SiO2), երկու անկախ էլեկտրաօպտիկական գործակիցներով նույնքան լավն են, որքան BBO-ն: Բյուրեղներ.Էլեկտրաօպտիկական գործակիցները կայուն են ջերմաստիճանների լայն տիրույթում:Բյուրեղն օժտված է լավ մեխանիկական հատկություններով, առանց ճեղքվածքի, փխրունության, ֆիզիկաքիմիական կայունության և ունի շատ լավ համապարփակ կատարում:LGS բյուրեղն ունի փոխանցման լայն գոտի, 242nm-ից 3550nm ունի փոխանցման բարձր արագություն:Այն կարող է օգտագործվել EO մոդուլյացիայի և EO Q-Switches-ի համար:

LGS բյուրեղն ունի կիրառությունների լայն շրջանակ. ի լրումն պիեզոէլեկտրական էֆեկտի, օպտիկական պտտման էֆեկտի, նրա էլեկտրաօպտիկական էֆեկտի կատարումը նույնպես շատ բարձր է, LGS Pockels բջիջներն ունեն կրկնությունների բարձր հաճախականություն, մեծ հատվածի բացվածք, նեղ զարկերակային լայնություն, բարձր հզորություն, ուլտրա -ցածր ջերմաստիճանը և այլ պայմանները հարմար են LGS բյուրեղյա EO Q-անջատիչի համար:Մենք կիրառեցինք γ 11 EO գործակիցը LGS Pockels բջիջներ պատրաստելու համար և ընտրեցինք դրա ավելի մեծ հարաբերակցությունը՝ LGS էլեկտրաօպտիկական բջիջների կիսաալիքային լարումը նվազեցնելու համար, որը կարող է հարմար լինել բոլոր պինդ վիճակի էլեկտրաօպտիկական թյունինգի համար: լազերային հզորության կրկնության ավելի բարձր տեմպերով:Օրինակ, այն կարող է կիրառվել LD Nd:YVO4 պինդ վիճակի լազերի վրա, որը պոմպացված է բարձր միջին հզորությամբ և էներգիայով ավելի քան 100 Վտ, առավելագույն արագությամբ մինչև 200KHZ, ամենաբարձր թողունակությունը մինչև 715 վտ, իմպուլսի լայնությունը մինչև 46 վտ, շարունակական: ելքը մինչև մոտ 10 վտ, իսկ օպտիկական վնասի շեմը 9-10 անգամ ավելի բարձր է, քան LiNbO3 բյուրեղի շեմը:1/2 ալիքի լարումը և 1/4 ալիքի լարումը ավելի ցածր են, քան նույն տրամագծով BBO Pockels Cells-ը, իսկ նյութի և հավաքման արժեքն ավելի ցածր է, քան նույն տրամագծով RTP Pockels Cells-ի:Համեմատած DKDP Pockels Cells-ի հետ, դրանք լուծույթ չեն և ունեն լավ ջերմաստիճանի կայունություն:LGS էլեկտրաօպտիկական բջիջները կարող են օգտագործվել կոշտ միջավայրերում և կարող են լավ գործել տարբեր ծրագրերում:

Քիմիական բանաձև	La3Ga5SiQ14
Խտություն	5,75գ/սմ3
Հալման ջերմաստիճանը	1470℃
Թափանցիկության միջակայք	242-3200 նմ
Refractive Index	1.89
Էլեկտրաօպտիկական գործակիցներ	γ41=1.8pm/V,γ11=2.3pm/V
Դիմադրողականություն	1,7×1010Ω.սմ
Ջերմային ընդարձակման գործակիցներ	α11=5,15×10-6/K(⊥Z-առանցք);α33=3,65×10-6/K(∥Z-առանցք)